长鑫存储计划一年内提升超10万片DRAM月产能 关注缓解电子产品存储不足

近年来，随着人工智能技术的迅猛发展，高带宽内存（HBM）的需求日益攀升，中国的DRAM制造企业—长鑫存储（CXMT）正在积极扩大其生产能力，以填补日渐显著的市场供应缺口。根据TrendForce和Counterpoint Research的最新报告，长鑫存储在未来几年将显著增强其DRAM生产能力。最令人瞩目的是，该公司预计在接下来的12个月内，将新增加超过10万片晶圆的月产能，使得总月产量由目前的约32万片提升至42万片以上。到2028年底，其月产能有可能进一步提升至60万片，这一增长幅度将达到87.5%。

研究机构指出，全球主要存储厂商如三星电子、SK海力士与美光正将大量资源投入到需求旺盛且利润更高的HBM产品领域，这已经导致普通DRAM市场面临供应紧张的局面。由于HBM需要将多层DRAM芯片堆叠并使用复杂的封装技术，因此大型企业优先满足AI服务器和数据中心客户的需求。

相较之下，长鑫存储的战略仍然专注于标准DRAM产品领域。由于普通DRAM的制造难度和技术门槛相对较低，公司能够集中更多资源用于扩大生产能力，重点服务受到存储短缺直接影响的消费电子市场。数据表明，长鑫存储计划在2027年提升DRAM产能31%，而在2028年则将再增加87.5%。推动这次扩张的关键因素之一是位于北京的新生产设施，相关项目正在寻求政府支持，以加快建设的进程。

业内分析认为，新增的产能将主要供给消费电子市场的通用DRAM需求。近年来，受AI产业高速发展的影响，存储资源紧张使得个人电脑、智能手机等消费电子设备制造商面临采购成本增加和供货不及时的问题。为应对这一局面，苹果被认为正在寻求与长鑫存储达成内存购销合作，以满足其在中国市场的产品需求。更有消息指出，在与苹果进行的价格谈判中，长鑫存储拒绝了降价要求，提供的价格与三星等国际存储巨头相当，甚至略高。

分析人士指出，若长鑫存储按计划顺利完成产能提升，将在全球通用DRAM市场中逐渐扮演更重要的角色。在国际存储厂商持续将资源转向AI与HBM领域的背景下，长鑫存储预计将在今后数年内为缓解消费电子行业的存储供应压力发挥至关重要的作用。